不可思议硅衬底LED技术改变了全球LED生存

1月8日，由南昌大学江风益教授等完成的硅衬底获得2015年国家技术发明奖一等奖。硅衬底技术改变了全球LED产业格局，江西凭借技术优势、产业基础，打造 南昌光谷 的步伐无疑将更快更稳。

1月8日，由南昌大学江风益教授等完成的硅衬底LED技术获得2015年国家技术发明奖一等奖，这力证中国对自主创新的硅衬底LED技术的重视，也标志着我国LED产业将迎来新的发展机遇。硅衬底LED技术改变了全球LED产业格局，江西凭借技术优势、产业基础，打造 南昌光谷 的步伐无疑将更快更稳。

硅衬底成为全球第三条蓝光LED技术

在硅上制备高光效GaN基LED 一直是学术界梦寐以求的目标。然而由于硅和GaN 巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅上制备高光效GaN 基LED 是不可能的事，硅衬底GaN 基LED路线几乎被判 死刑 。

然而经过三千多次实验，南昌大学江风益教授领衔的技术研发团队终于在国际上率先攻克了这一世界难题。

自动分选车间

项目组研究员付羿博士介绍说，硅衬底LED技术优势明显，可以利用大尺寸、低成本的硅衬底跟自动化的工艺相结合，实现了LED生产成本的大幅度降低，目前该项技术已经申请或拥有国际国内专利 0多项，其中已授权发明专利147项，实现了外延芯片核心部件每一层都有专利保护。

目前，第一条蓝宝石LED技术路线是产业界采用的主流技术路线，第二条碳化硅LED技术路线属 贵族 路线。这两条技术路线的核心发明专利分别被日、美等国所垄断，对我国LED 产业发展形成专利壁垒。硅衬底LED技术成为全球第三条蓝光LED技术路线，使我国LED产业从根本上避开了与前两条技术路线发生专利纠纷。

硅衬底LED技术引领产业发展

前几年，高端市场基本依赖于进口，特别是高端照明市场中所需的大功率LED芯片，国内基本没有生产。汽车照明、户外照明、高端、闪光灯、电视背光等高端LED领域被国外厂商垄断。

晶能光电硅衬底LED芯片生产

2012年6月，晶能光电向全球宣布硅衬底大功率LED芯片的量产，这不仅标志着硅衬底LED技术的成熟，也标志着国外垄断大功率LED芯片历史的结束。